Descripción
La unidad de estado sólido Ultimate SU650 implementa memoria Flash 3D NAND y un controlador de alta velocidad, ofreciendo capacidades de hasta 2 TB. Ofrece un rendimiento de lectura/escritura de hasta 520/450 MB/s y mayor confiabilidad que las unidades SSD 2D NAND. El SU650 cuenta con caché SLC y tecnologías avanzadas de corrección de errores para garantizar un rendimiento e integridad de datos optimizados. Para quienes desean una mejora significativa en su PC, el SU650 es una excelente opción con una excelente relación calidad-precio.
NAND 3D en una sencilla actualización de PC
Con 3D NAND Flash, el SU650 presenta mayor eficiencia y confiabilidad en comparación con los SSD 2D NAND con una relación costo-rendimiento mejorada.
Rendimiento más rápido
El algoritmo de almacenamiento en caché SLC inteligente permite que la memoria Flash NAND funcione en modo de celda de un solo nivel y aumenta el rendimiento, lo que ayuda a mantener velocidades máximas de lectura/escritura del SU650 de hasta 520/450 MB por segundo para un arranque, transferencias de archivos y descargas más fluidos y rápidos.
Código de corrección de errores avanzado
Con el soporte de la tecnología ECC (código de corrección de errores), el SU650 puede detectar y corregir errores para garantizar la integridad de los datos y ayudar a extender la vida útil del SSD. Su MTBF (tiempo medio entre fallos) es de hasta 2 millones de horas, o un 25% más que los SSD NAND 2D.
Más resistente, más silencioso y más confiable
Los SSD no tienen componentes mecánicos, por lo que superan a los HDD tradicionales con mayor resistencia a golpes, vibraciones (1500 G/0,5 ms) y temperaturas extremas (0 °C-70 °C). Además, son completamente silenciosos y consumen muy poca energía, a la vez que protegen mejor tus datos.
ESPECIFICACIONES
Capacidad
256 GB
Factor de forma
2,5″
Memoria flash NAND
NAND 3D
Dimensiones (largo x ancho x alto)
100,45 x 69,85 x 7 mm / 3,95 x 2,75 x 0,27 pulgadas
Peso
50,8 g / 1,79 oz
Interfaz
SATA 6 Gb/s
Lectura secuencial (máx.*)
Hasta 520 MB/s
Escritura secuencial (máx.*)
Hasta 450 MB/s
Temperatura de funcionamiento
0°C – 70°C
Temperatura de almacenamiento
-40°C – 85°C
Resistencia a los golpes
1500G / 0,5 ms
Tiempo medio entre fallos
2.000.000 de horas
Terabytes escritos (TBW) (capacidad máxima*)
1120 TB